2N1713
BJT
PNP
TO7
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Vcb Max.
15.000 V
Ic Max.
0.010 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.080 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO7 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.01 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 15 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.08 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2N1713?
El 2N1713 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO7.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1713?
El 2N1713 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.