2N190
BJT
PNP
R32
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
45.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | R32 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.4 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 80 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 45 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N190:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N190?
Los reemplazos compatibles para el 2N190 incluyen: 2N19, 2N1905, 2N1906, 2N1907.
¿Que tipo de transistor es el 2N190?
El 2N190 es un transistor BJT PNP en encapsulado R32.