2N277
BJT
PNP
TO36
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
170.000 W
Tj Max.
95.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO36 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 20 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 95 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 170 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2N277?
El 2N277 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO36.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N277?
El 2N277 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.