2N6316
BJT
NPN
TO-66
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
7.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
90.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 7 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 90 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6316:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6316?
Los reemplazos compatibles para el 2N6316 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6931, 2N6932, 2SA1659A, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6316?
El 2N6316 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-66.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6316?
El 2N6316 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 7.000 A.