2N6676T3
BJT
NPN
TO257AA
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
450.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
8.000
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO257AA |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 15 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 450 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 8 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6676T3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6676T3?
Los reemplazos compatibles para el 2N6676T3 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6933, 2N6934, 2N6935, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6676T3?
El 2N6676T3 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO257AA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6676T3?
El 2N6676T3 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.