2N6678M3A

BJT NPN TO254AA

Parametros Principales

Vce Max. 400.000 V
Vcb Max. 650.000 V
Ic Max. 15.000 A
hFE Min 8.000
Potencia Max. 175.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO254AA
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 15 MHz
Collector Capacitance (Cc) 500 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 15 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 8 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 650 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 400 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 175 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 8

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6678M3A:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6678M3A?

Los reemplazos compatibles para el 2N6678M3A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6934, 2N6935, 2N6987U, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6678M3A?

El 2N6678M3A es un transistor BJT NPN en encapsulado TO254AA.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6678M3A?

El 2N6678M3A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.

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