2N999
BJT
NPN
TO72-3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
7000.000
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO72-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 20 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 15 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 7000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N999:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N999?
Los reemplazos compatibles para el 2N999 incluyen: 2N997, 2N998, 2PB601AQ, 2PB601AR, 2PB601AS, 2PB601Q, 2PB601R.
¿Que tipo de transistor es el 2N999?
El 2N999 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO72-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N999?
El 2N999 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.