2PB709ASW

BJT PNP SOT323

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 45.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 290.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT323
Polarity PNP
SMD Transistor Code N9p_N9t
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 80 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 290

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PB709ASW:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2PB709ASW?

Los reemplazos compatibles para el 2PB709ASW incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PA1576S, 2PA1774Q, 2PA1774R, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2PB709ASW?

El 2PB709ASW es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT323.

¿Cual es el voltaje maximo del 2PB709ASW?

El 2PB709ASW tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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