2PD601ARL-DG

BJT NPN SOT23

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 210.000
Potencia Max. 0.250 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
Polarity NPN
SMD Transistor Code SM*
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 100 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.25 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 210

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PD601ARL-DG:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2PD601ARL-DG?

Los reemplazos compatibles para el 2PD601ARL-DG incluyen: 2PD601ASL-DG, BC54-10PAS.

¿Que tipo de transistor es el 2PD601ARL-DG?

El 2PD601ARL-DG es un transistor BJT NPN en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del 2PD601ARL-DG?

El 2PD601ARL-DG tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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