2SA1012B
BJT
PNP
TO252
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
82.000
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Polarity | PNP |
| SMD Transistor Code | A1012B |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 200 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 36 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 82 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1012B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1012B?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1012B incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 8550.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1012B?
El 2SA1012B es un transistor BJT PNP en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1012B?
El 2SA1012B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.