2SA1020I
BJT
PNP
TO251
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
0.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 40 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.9 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1020I:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1020I?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1020I incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1013-O, 2SA1013-R, 2SA1013-Y, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1020I?
El 2SA1020I es un transistor BJT PNP en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1020I?
El 2SA1020I tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.