2SA1162G

BJT PNP SOT23

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.150 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 0.150 W
Tj Max. 125.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
Polarity PNP
SMD Transistor Code SG
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 80 MHz
Collector Capacitance (Cc) 7 max pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.15 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 125 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1162G:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SA1162G?

Los reemplazos compatibles para el 2SA1162G incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1162O, 2SA1162Y, 2SA1201O, y 5 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SA1162G?

El 2SA1162G es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1162G?

El 2SA1162G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.

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