2SA1162O

BJT PNP SOT23

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.150 A
hFE Min 70.000
Potencia Max. 0.150 W
Tj Max. 125.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT23
Polarity PNP
SMD Transistor Code SO
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 80 MHz
Collector Capacitance (Cc) 7 max pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.15 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 125 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 70

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1162O:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SA1162O?

Los reemplazos compatibles para el 2SA1162O incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1162G, 2SA1162Y, 2SA1201O, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SA1162O?

El 2SA1162O es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT23.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1162O?

El 2SA1162O tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.

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