2SA1257G3
BJT
PNP
TO236
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
0.080 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO236 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 130 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.08 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1257G3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1257G3?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1257G3 incluyen: 2SC2655, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1255, 2SA1255O, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1257G3?
El 2SA1257G3 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO236.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1257G3?
El 2SA1257G3 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.080 A.