2SA1265N
BJT
PNP
TO218
Parametros Principales
Vce Max.
140.000 V
Vcb Max.
140.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
55.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO218 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 480 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 140 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 140 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 55 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1265N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1265N?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1265N incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1263N, 2SA1263NO, 2SA1263NR, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1265N?
El 2SA1265N es un transistor BJT PNP en encapsulado TO218.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1265N?
El 2SA1265N tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 140.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.