2SA1386B-A
BJT
PNP
TO3P
Parametros Principales
Vce Max.
180.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
130.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 180 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 130 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1386B-A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1386B-A?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1386B-A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1213-O, 2SA1213-Y, 2SA1213GP, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1386B-A?
El 2SA1386B-A es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1386B-A?
El 2SA1386B-A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 180.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.