2SA1416S-TD-E

BJT PNP SOT89

Parametros Principales

Vce Max. 100.000 V
Vcb Max. 120.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 140.000
Potencia Max. 0.500 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT89
Polarity PNP
SMD Transistor Code AB
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 120 MHz
Collector Capacitance (Cc) 13 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 120 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 100 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.5 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 140

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1416S-TD-E:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SA1416S-TD-E?

Los reemplazos compatibles para el 2SA1416S-TD-E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1213-Y, 2SA1213Y-G, 2SA1298-O, y 12 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SA1416S-TD-E?

El 2SA1416S-TD-E es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT89.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1416S-TD-E?

El 2SA1416S-TD-E tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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