2SD251
BJT
NPN
TO66
Parametros Principales
Vcb Max.
200.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD251:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD251?
Los reemplazos compatibles para el 2SD251 incluyen: 2SD2494P, 2SD2494Y, 2SD2495O, 2SD2495P, 2SD2495Y, 2SD24Y, 2SD25, 2SD250, 2SD254, 2SD255, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD251?
El 2SD251 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO66.
