2SD2561P
BJT
NPN
MT200
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
17.000 A
hFE Min
6500.000
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT200 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 70 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 120 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 17 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 6500 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD2561P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD2561P?
Los reemplazos compatibles para el 2SD2561P incluyen: 2SD255, 2SD2557, 2SD2558, 2SD256, 2SD2560O, 2SD2560P, 2SD2560Y, 2SD2561O, 2SD2561Y, 2SD2562O, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD2561P?
El 2SD2561P es un transistor BJT NPN en encapsulado MT200.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD2561P?
El 2SD2561P tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 17.000 A.