2SD2580
BJT
NPN
TO3PML
Parametros Principales
Vce Max.
800.000 V
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
70.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PML |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 800 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 70 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD2580:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD2580?
Los reemplazos compatibles para el 2SD2580 incluyen: 2N3904, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD2580?
El 2SD2580 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3PML.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD2580?
El 2SD2580 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 800.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.