2SD2589O

BJT NPN TO220

Parametros Principales

Vce Max. 110.000 V
Vcb Max. 110.000 V
Ic Max. 6.000 A
hFE Min 5000.000
Potencia Max. 50.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 60 MHz
Collector Capacitance (Cc) 55 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 110 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 110 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 50 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 5000

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD2589O:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD2589O?

Los reemplazos compatibles para el 2SD2589O incluyen: 2N5551, 2SD2561O, 2SD2561P, 2SD2561Y, 2SD2562O, 2SD2562P, 2SD2562Y, 2SD257, 2SD258, 2SD2589P, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD2589O?

El 2SD2589O es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD2589O?

El 2SD2589O tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 110.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 6.000 A.

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