2SD2625V9
BJT
NPN
TO3P
Parametros Principales
Vce Max.
400.000 V
Vcb Max.
700.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 8 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 9 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 700 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 400 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD2625V9:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD2625V9?
Los reemplazos compatibles para el 2SD2625V9 incluyen: 2SC3320, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD2625V9?
El 2SD2625V9 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD2625V9?
El 2SD2625V9 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.