2SD2655
BJT
NPN
MPAK
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MPAK |
| Polarity | NPN |
| SMD Transistor Code | WM |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 280 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4.2 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD2655:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD2655?
Los reemplazos compatibles para el 2SD2655 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA673AKC, 2SA673AKD, 2SC1213AKC, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD2655?
El 2SD2655 es un transistor BJT NPN en encapsulado MPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD2655?
El 2SD2655 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.