2SD30
BJT
NPN
TO39
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO39 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 12 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD30:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD30?
Los reemplazos compatibles para el 2SD30 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD292, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD30?
El 2SD30 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO39.