2SD339
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
90.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 90 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD339:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD339?
Los reemplazos compatibles para el 2SD339 incluyen: 2SD332, 2SD334, 2SD334A, 2SD335, 2SD336, 2SD338, 2SD338-1, 2SD338-2, 2SD339-1, 2SD339-2, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD339?
El 2SD339 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.