2SD35
BJT
NPN
U8
Parametros Principales
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.060 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.085 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | U8 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.06 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.085 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD35:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD35?
Los reemplazos compatibles para el 2SD35 incluyen: 2SD342, 2SD343, 2SD344, 2SD345, 2SD346, 2SD347, 2SD348, 2SD349, 2SD350, 2SD350A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD35?
El 2SD35 es un transistor BJT NPN en encapsulado U8.