2SD367
BJT
NPN
TO1
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
46.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 46 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD367:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD367?
Los reemplazos compatibles para el 2SD367 incluyen: 2SD363O, 2SD363R, 2SD363Y, 2SD364, 2SD365, 2SD365A, 2SD366, 2SD366A, 2SD368, 2SD369, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD367?
El 2SD367 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO1.