2SD396
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
700.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 700 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD396:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD396?
Los reemplazos compatibles para el 2SD396 incluyen: 2SD389, 2SD389A, 2SD390, 2SD390A, 2SD392, 2SD393, 2SD394, 2SD395, 2SD400, 2SD400MP, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD396?
El 2SD396 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.