2SD401G

BJT NPN TO220

Parametros Principales

Vce Max. 150.000 V
Vcb Max. 200.000 V
Ic Max. 2.000 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 25.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 5 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 200 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 150 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 25 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD401G:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD401G?

Los reemplazos compatibles para el 2SD401G incluyen: 2N5551, 2SD395, 2SD396, 2SD400, 2SD400MP, 2SD400P-1, 2SD400P-2, 2SD401, 2SD401A, 2SD401O, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD401G?

El 2SD401G es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD401G?

El 2SD401G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.

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