2SD410
BJT
NPN
TO66
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
3000.000
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 3000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD410:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD410?
Los reemplazos compatibles para el 2SD410 incluyen: 2SD404, 2SD404G, 2SD405, 2SD406, 2SD407, 2SD408, 2SD409, 2SD41, 2SD411, 2SD412, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD410?
El 2SD410 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO66.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD410?
El 2SD410 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.