2SD5075T
BJT
NPN
TO220
Parametros Principales
Vce Max.
800.000 V
Vcb Max.
1500.000 V
Ic Max.
3.500 A
hFE Min
8.000
Potencia Max.
75.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1500 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 800 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 75 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 8 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD5075T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD5075T?
Los reemplazos compatibles para el 2SD5075T incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, BC337, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD5075T?
El 2SD5075T es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD5075T?
El 2SD5075T tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 800.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.500 A.