2SD579
BJT
NPN
TO66
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 40 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD579:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD579?
Los reemplazos compatibles para el 2SD579 incluyen: 2SD574, 2SD574A, 2SD575, 2SD575L, 2SD576, 2SD577, 2SD578, 2SD578A, 2SD579A, 2SD58, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD579?
El 2SD579 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO66.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD579?
El 2SD579 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.