2SD583
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Vcb Max.
250.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
150.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 250 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 150 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD583:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD583?
Los reemplazos compatibles para el 2SD583 incluyen: 2SD579, 2SD579A, 2SD58, 2SD580, 2SD581, 2SD581A, 2SD582, 2SD582A, 2SD585, 2SD586, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD583?
El 2SD583 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD583?
El 2SD583 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.