2SD587
BJT
NPN
MT-200
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
6.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
70.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT-200 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 8 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 130 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 70 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD587:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD587?
Los reemplazos compatibles para el 2SD587 incluyen: 2SD581, 2SD581A, 2SD582, 2SD582A, 2SD583, 2SD585, 2SD586, 2SD586A, 2SD587A, 2SD588, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD587?
El 2SD587 es un transistor BJT NPN en encapsulado MT-200.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD587?
El 2SD587 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 6.000 A.