2SD615
BJT
NPN
TO5-1
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
140.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
800.000
Potencia Max.
0.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 140 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 800 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD615:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD615?
Los reemplazos compatibles para el 2SD615 incluyen: 2SD612, 2SD612K, 2SD613, 2SD613C, 2SD613D, 2SD613E, 2SD613F, 2SD614, 2SD616, 2SD617, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD615?
El 2SD615 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD615?
El 2SD615 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.