2SD617
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
2500.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 2500 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD617:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD617?
Los reemplazos compatibles para el 2SD617 incluyen: 2N2222, 2SD613, 2SD613C, 2SD613D, 2SD613E, 2SD613F, 2SD614, 2SD615, 2SD616, 2SD619, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD617?
El 2SD617 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.