2SD626
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
600.000 V
Ic Max.
6.000 A
hFE Min
300.000
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 600 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 80 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 300 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD626:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD626?
Los reemplazos compatibles para el 2SD626 incluyen: 2SD617, 2SD619, 2SD62, 2SD620, 2SD621, 2SD622, 2SD624, 2SD625, 2SD627, 2SD628, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD626?
El 2SD626 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.