2SD629
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
10000.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD629:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD629?
Los reemplazos compatibles para el 2SD629 incluyen: 2SD621, 2SD622, 2SD624, 2SD625, 2SD626, 2SD627, 2SD628, 2SD628H, 2SD629H, 2SD63, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD629?
El 2SD629 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.