2SD636
BJT
NPN
SC71
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
160.000
Potencia Max.
0.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC71 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 75 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 7 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 160 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD636:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD636?
Los reemplazos compatibles para el 2SD636 incluyen: 2SC4793, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD636?
El 2SD636 es un transistor BJT NPN en encapsulado SC71.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD636?
El 2SD636 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.