2SD648
BJT
NPN
TO3A-1
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
300.000 V
Ic Max.
400.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
2500.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3A-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 400 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 300 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2500 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD648:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD648?
Los reemplazos compatibles para el 2SD648 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD642, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD648?
El 2SD648 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3A-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD648?
El 2SD648 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 400.000 A.