2SD660
BJT
NPN
TO30
Parametros Principales
Vce Max.
70.000 V
Vcb Max.
90.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO30 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 80 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 90 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 70 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD660:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD660?
Los reemplazos compatibles para el 2SD660 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD652, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD660?
El 2SD660 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO30.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD660?
El 2SD660 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 70.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.