2SD662

BJT NPN SC71

Parametros Principales

Vce Max. 200.000 V
Vcb Max. 250.000 V
Ic Max. 0.070 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 0.600 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SC71
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Collector Capacitance (Cc) 5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.07 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 250 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 200 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.6 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD662:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD662?

Los reemplazos compatibles para el 2SD662 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD655, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD662?

El 2SD662 es un transistor BJT NPN en encapsulado SC71.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD662?

El 2SD662 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.070 A.

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