2SD667L-B

BJT NPN TO92L

Parametros Principales

Vce Max. 80.000 V
Vcb Max. 120.000 V
Ic Max. 1.000 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.900 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO92L
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 140 MHz
Collector Capacitance (Cc) 12 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 120 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 80 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.9 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD667L-B:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD667L-B?

Los reemplazos compatibles para el 2SD667L-B incluyen: 2N2222, 2SD2908, 2SD467C, 2SD667-B, 2SD667-C, 2SD667-D, 2SD667A-B, 2SD667A-C, 2SD667A-D, 2SD667L-C, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD667L-B?

El 2SD667L-B es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92L.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD667L-B?

El 2SD667L-B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.

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