2SD667L-C
BJT
NPN
TO92L
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
0.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92L |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 12 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.9 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD667L-C:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD667L-C?
Los reemplazos compatibles para el 2SD667L-C incluyen: 2SD467C, 2SD667-B, 2SD667-C, 2SD667-D, 2SD667A-B, 2SD667A-C, 2SD667A-D, 2SD667L-B, 2SD667L-D, 2SD669-B, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD667L-C?
El 2SD667L-C es un transistor BJT NPN en encapsulado TO92L.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD667L-C?
El 2SD667L-C tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.