2SD668

BJT NPN TO126

Parametros Principales

Vce Max. 120.000 V
Vcb Max. 180.000 V
Ic Max. 0.050 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 140 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.05 A
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 180 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 120 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD668:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD668?

Los reemplazos compatibles para el 2SD668 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD662, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD668?

El 2SD668 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD668?

El 2SD668 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.

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