2SD669
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 14 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD669:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD669?
Los reemplazos compatibles para el 2SD669 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD667A, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD669?
El 2SD669 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD669?
El 2SD669 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.