2SD669A-B

BJT NPN TO126

Parametros Principales

Vce Max. 160.000 V
Vcb Max. 180.000 V
Ic Max. 1.500 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 20.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 140 MHz
Collector Capacitance (Cc) 14 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 180 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 160 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 20 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD669A-B:

2SD468B BJT NPN 2SD667-B BJT NPN 2SD667-C BJT NPN 2SD667-D BJT NPN 2SD667A-C BJT NPN 2SD667A-D BJT NPN 2SD667L-B BJT NPN 2SD667L-C BJT NPN 2SD667L-D BJT NPN 2SD669-B BJT NPN 2SD669-C BJT NPN 2SD669-D BJT NPN 2SD669A-C BJT NPN 2SD669AL BJT NPN 2SD669AM BJT NPN 2SD669AM-A BJT NPN

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD669A-B?

Los reemplazos compatibles para el 2SD669A-B incluyen: 2SD468B, 2SD667-B, 2SD667-C, 2SD667-D, 2SD667A-C, 2SD667A-D, 2SD667L-B, 2SD667L-C, 2SD667L-D, 2SD669-B, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD669A-B?

El 2SD669A-B es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD669A-B?

El 2SD669A-B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.

Scroll al inicio