2SD669AB
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 14 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD669AB:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD669AB?
Los reemplazos compatibles para el 2SD669AB incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD668A, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD669AB?
El 2SD669AB es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD669AB?
El 2SD669AB tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.