2SD669AC

BJT NPN TO126

Parametros Principales

Vce Max. 160.000 V
Vcb Max. 180.000 V
Ic Max. 1.500 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO126
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 140 MHz
Collector Capacitance (Cc) 14 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 1.5 A
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 180 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 160 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD669AC:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SD669AC?

Los reemplazos compatibles para el 2SD669AC incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SD668AB, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SD669AC?

El 2SD669AC es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SD669AC?

El 2SD669AC tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.

Scroll al inicio