2SD669AM-A
BJT
NPN
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
160.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 14 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 160 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SD669AM-A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SD669AM-A?
Los reemplazos compatibles para el 2SD669AM-A incluyen: 2SD468B, 2SD468C, 2SD601LT1, 2SD602LT1, 2SD667-D, 2SD667L-B, 2SD667L-C, 2SD667L-D, 2SD669-B, 2SD669-C, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SD669AM-A?
El 2SD669AM-A es un transistor BJT NPN en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SD669AM-A?
El 2SD669AM-A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 160.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.